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Dependence of Ta2O5 memristor storage and synaptic performances on oxygen content
氧含量对Ta2O5忆阻器存储和突触性能的影响
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
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期刊:Applied Physics Express 作者:Kunming Liu; Fang Wang; Xin Shan; Ke Shan; Zexia Ma; et al 出版日期:2023-06-16 |
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