标题 |
Modeling and Analysis of SiC MOSFET Switching Oscillations
SiC MOSFET开关振荡的建模与分析
相关领域
MOSFET
碳化硅
材料科学
开关频率
电气工程
光电子学
工程物理
物理
工程类
晶体管
电压
冶金
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期刊:IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 作者:Tianjiao Liu; Runtao Ning; Thomas K.S. Wong; Zhi-Xun Shen 出版日期:2016-07-07 |
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