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 Polycrystalline Indium Gallium Tin Oxide Thin-Film Transistors With High Mobility Exceeding 100 cm2/Vs 具有超过100cm2/Vs的高迁移率的多晶铟镓锡氧化物薄膜晶体管
相关领域
薄膜晶体管
材料科学
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分析化学（期刊）
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Bo Kyoung Kim; Nuri On; Cheol Hee Choi; Min Jae Kim; Shinhyuck Kang; et al 出版日期：2021-02-02 |
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