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 Wafer-scale patterning of sub-40 nm diameter and high aspect ratio (>50:1) silicon pillar arrays by nanoimprint and etching 通过纳米压印和蚀刻对直径低于40 nm和高纵横比(>50：1)的硅柱阵列进行晶圆级图案化
相关领域
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纵横比（航空）
纳米压印光刻
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制作
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硅
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期刊：Nanotechnology 作者：Keith Morton; Gregory Nieberg; Shufeng Bai; Stephen Y. Chou 出版日期：2008-07-15 |
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