High-Temperature Performance of AlN MESFETs With Epitaxially Grown n-Type AlN Channel Layers

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标题	High-Temperature Performance of AlN MESFETs With Epitaxially Grown n-Type AlN Channel Layers 外延生长n型AlN沟道层AlN MESFET的高温性能相关领域跨导 MESFET 外延材料科学光电子学击穿电压阈值电压泄漏（经济）场效应晶体管分析化学（期刊）晶体管电气工程电压图层（电子）纳米技术化学工程类宏观经济学经济色谱法
网址	https://doi.org/10.1109/led.2022.3141100
DOI	10.1109/led.2022.3141100 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Masanobu Hiroki; Yoshitaka Taniyasu; Kazuhide Kumakura 出版日期：2022-01-01
求助人	等待的凝芙在 2025-02-24 17:25:12 发布自陕西，悬赏 10 积分
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