标题 |
Improved Tradeoff Between Subthreshold Swing and Hysteresis for MoS2Negative-Capacitance FETs by Optimizing Gate-Stack of Hf1−xZrxO2/Al2O3
通过优化哈夫1-xZrxO 2/Al 2 O3的门栈改善MoS 2负电容场效应晶体管亚阈值摆动和滞后之间的权衡
相关领域
电容
物理
量子力学
电极
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Jingjie Wang; Lu Liu; Yuqin Xia; Jing-Ping Xu 出版日期:2021-10-21 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|