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 In-situ biasing and temperature influence on the electric fields across GaAs based p-n junction via 4D STEM 原位偏压和温度对GaAs基p-n结电场的影响
相关领域
偏压
材料科学
原位
电场
p-n结
光电子学
凝聚态物理
电压
物理
半导体
量子力学
气象学
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| 其它 |
期刊：Microscopy and Microanalysis 作者：Anuj Pokle; Damien Heimes; Andreas Beyer; Kerstin Volz 出版日期：2021-07-30 |
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