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 AsP/InSe Van der Waals Tunneling Heterojunctions with Ultrahigh Reverse Rectification Ratio and High Photosensitivity 具有超高反向整流比和高光敏性的AsP/InSe范德华隧穿异质结
相关领域
异质结
材料科学
范德瓦尔斯力
整改
光电子学
量子隧道
响应度
光电探测器
肖特基势垒
比探测率
纳米技术
二极管
物理
分子
量子力学
功率（物理）
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| 其它 |
期刊：Advanced Functional Materials 作者：Feng Wu; Hui Xia; Haiding Sun; Junwei Zhang; Fan Gong; et al 出版日期：2019-01-30 |
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