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 Optimization of interface properties in p-type poly-SiO passivating contacts through intrinsic buffer layer modification 通过本征缓冲层改性优化p型poly-SiO钝化触点的界面性能
相关领域
缓冲器（光纤）
图层（电子）
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期刊：Solar Energy Materials and Solar Cells 作者：Yingwen Zhao; Paul Procel; Yifeng Zhao; Zhirong Yao; Yan Jin; et al 出版日期：2025-01-18 |
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