标题 |
Solid-Phase Lateral Epitaxial Growth onto Adjacent SiO2 Film from Amorphous Silicon Deposited on Single-Crystal Silicon Substrate
从沉积在单晶硅衬底上的非晶硅到相邻SiO2薄膜上的固相横向外延生长
相关领域
硅
外延
材料科学
成核
退火(玻璃)
无定形固体
非晶硅
基质(水族馆)
纳米晶硅
晶体生长
单晶硅
单晶
结晶学
光电子学
晶体硅
纳米技术
复合材料
化学
图层(电子)
地质学
海洋学
有机化学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Y. Ohmura; Yasuo Matsushita; M. Kashiwagi 出版日期:1982-03-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|