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Role of the Growth Facet on the Generation and Expansion of Stacking Faults in PVT-Grown n-Type 4H-SiC Single-Crystal Boules
生长面在PVT生长n型4H-SiC单晶中层错产生和扩展中的作用
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期刊:Journal of Physical Chemistry C 作者:Wenhao Geng; Qinqin Shao; Yazhe Wang; Ruzhong Zhu; Xue‐Feng Han; et al 出版日期:2023-07-12 |
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