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 Electronic Doping and Enhancement of n‐Channel Polycrystalline OFET Performance through Gate Oxide Modifications with Aminosilanes 氨基硅烷栅氧化物修饰对n沟道多晶OFET性能的电子掺杂和增强
相关领域
材料科学
有机场效应晶体管
兴奋剂
单层
场效应晶体管
自组装单层膜
氧化物
阈值电压
表面粗糙度
分子
光电子学
晶体管
纳米技术
电压
化学
有机化学
复合材料
电气工程
冶金
工程类
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期刊：Advanced materials interfaces 作者：Nara Shin; Karl Sebastian Schellhammer; Min Ho Lee; Jakob Zessin; Mike Hambsch; et al 出版日期：2021-07-26 |
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