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 Study of the impact of interface traps associated with SiN X passivation on AlGaN/GaN MIS-HEMTs SiN X钝化界面陷阱对AlGaN/GaN MIS-HEMTs影响的研究
相关领域
钝化
材料科学
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Rijo Baby; Anirudh Venugopalrao; Hareesh Chandrasekar; Srinivasan Raghavan; Muralidharan Rangrajan; et al 出版日期：2022-01-21 |
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