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 Overview of Bias Temperature Instability in Scaled DRAM Logic for Memory Transistors 用于存储晶体管的刻度DRAM逻辑偏置温度不稳定性综述
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材料科学
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负偏压温度不稳定性
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期刊：IEEE transactions on device and materials reliability 作者：Barry O’Sullivan; R. Ritzenthaler; E. Dentoni Litta; Eddy Simoen; Vladimir Machkaoutsan; et al 出版日期：2020-06-01 |
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