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 Fabrication of a sharp Si protrusion with a faceted apex grown from a surface-melted silicon wafer under high electric and magnetic fields: application to field emission electron sources 在高电场和磁场下从表面熔化的硅晶片生长的具有刻面顶点的尖锐硅突起的制造：在场发射电子源中的应用
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Takashi Nishimura; Masahiko Tomitori 出版日期：2024-05-27 |
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