标题 |
Engineering of TiN/ZnO/SnO2/ZnO/Pt multilayer memristor with advanced electronic synapses and analog switching for neuromorphic computing
用于神经形态计算的具有先进电子突触和模拟开关的TiN/ZnO/SnO2/ZnO/Pt多层忆阻器的工程
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
材料科学
峰值时间相关塑性
光电子学
电子工程
长时程增强
计算机科学
人工神经网络
工程类
化学
人工智能
生物化学
受体
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Alloys and Compounds 作者:Muhammad Ismail; Sunghun Kim; Maria Rasheed; Chandreswar Mahata; Myounggon Kang; et al 出版日期:2024-07-01 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|