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[求助补充材料]
 Reconfiguration of Intrinsic Depletion‐Mode Characteristics of MoS2 Field‐Effect Transistors to High‐Performance Enhancement‐Mode Operation Using an Argon Plasma‐Induced p‐Type Doping Technique 使用氩等离子体诱导p型掺杂技术将MoS2场效应晶体管的本征耗尽模式特性重新配置为高性能增强模式
相关领域
兴奋剂
材料科学
NMOS逻辑
光电子学
场效应晶体管
晶体管
CMOS芯片
半导体
电气工程
电压
工程类
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