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 A 28-nm 18.7 TOPS/mm$^2$ 89.4-to-234.6 TOPS/W 8b Single-Finger eDRAM Compute-in-Memory Macro With Bit-Wise Sparsity Aware and Kernel-Wise Weight Update/Refresh 28纳米18.7 TOPS/mm$^2$89.4至234.6 TOPS/W 8b单指eDRAM内存计算宏，具有位稀疏感知和内核权重更新/刷新功能
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最上等的
宏
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计算机科学
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期刊：IEEE Journal of Solid-State Circuits 作者：Yi Zhan; Wei-Han Yu; Ka-Fai Un; Rui P. Martins; Pui‐In Mak 出版日期：2024-01-01 |
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