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标题
Thinning Solution‐proceed 2D Te for p‐ and n‐channel Junction Field Effect Transistor with High Mobility and Ideal Subthreshold Slope
具有高迁移率和理想亚阈值斜率的p沟道和n沟道结场效应晶体管的减薄解决方案——进行二维Te
相关领域
JFET公司 材料科学 光电子学 晶体管 电子迁移率 场效应晶体管 阈下斜率 二极管 饱和电流 阈值电压 电气工程 纳米技术 电压 工程类
网址
https://doi.org/10.1002/adfm.202316488
DOI
10.1002/adfm.202316488 doi
其它 期刊：Advanced Functional Materials
作者：Lingyu Zhu; Jielian Zhang; Xinhao Chen; Nabuqi Bu; Tao Zheng; et al
出版日期：2024-04-22
求助人
山竹 在 2025-01-02 16:00:54 发布自河南，悬赏 10 积分
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