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 Defects in epitaxial 4H-SiC revealed by exciton recombination 激子复合揭示4H-SiC外延缺陷
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期刊：Journal of physics. Condensed matter (Print) 作者：F. Migliore; Marco Cannas; F. M. Gelardi; Danièle Vecchio; Andrea Brischetto; et al 出版日期：2024-02-01 |
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