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 Time-Resolved Threshold Voltage Instability of 650-V Schottky Type p-GaN Gate HEMT Under Temperature-Dependent Forward and Reverse Gate Bias Conditions 650V Schottky型p-GaN栅极HEMT在温度相关的正向和反向栅极偏置条件下的时间分辨阈值电压不稳定性
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Hao Wu; Fu Xiaojun; Jingwei Guo; Yuan Wang; Tao Liu; et al 出版日期：2022-02-01 |
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