标题 |
Ultracompact ESD Protection With BIMOS-Merged Dual Back-to-Back SCR in Hybrid Bulk 28-nm FD-SOI Advanced CMOS Technology
采用混合体28-nmFD-SIM高级互补性金属氧化物半导体技术,采用双金属氧化物半导体合并的双金属氧化物半导体可逆可控硅实现超紧凑的静电放电保护
相关领域
绝缘体上的硅
静电放电
CMOS芯片
过电压
电气工程
电子工程
晶体管
瞬态(计算机编程)
材料科学
双极结晶体管
电力传输
工程类
硅
光电子学
计算机科学
电压
操作系统
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Philippe Galy; Johan Bourgeat; Nicolas Guitard; Jean-Daniel Lise; D. Marin-Cudraz; et al 出版日期:2017-10-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|