标题 |
Computational Study on Interlocked-Ferroelectricity-Contributed High-Performance Memristors Based on Two-Dimensional van der Waals Ferroelectric Semiconductors
基于二维范德华铁电半导体的互锁铁电贡献高性能忆阻器的计算研究
相关领域
记忆电阻器
铁电性
神经形态工程学
材料科学
半导体
冯·诺依曼建筑
范德瓦尔斯力
瓶颈
仿真
纳米技术
非易失性存储器
计算机科学
光电子学
电子工程
人工智能
人工神经网络
物理
嵌入式系统
工程类
量子力学
分子
电介质
经济
经济增长
操作系统
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces 作者:Zhuo Chen; Yuchen Li; Taejoon Kong; Yang‐Yang Lv; Wei Fa; et al 出版日期:2024-05-08 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|