High Resistivity Uniformity of n-Type 4H-SiC Substrates Grown by PVT Method

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标题	High Resistivity Uniformity of n-Type 4H-SiC Substrates Grown by PVT Method PVT法生长n型4H-SiC衬底的高电阻率均匀性相关领域电阻率和电导率材料科学碳化硅宽禁带半导体光电子学复合材料工程物理电气工程物理工程类
网址	https://doi.org/10.1109/sslchinaifws64644.2024.10835335
DOI	10.1109/sslchinaifws64644.2024.10835335 doi
其它	期刊：作者：Xixi Xiong; Xianglong Yang; G. X. Hu; Xiaomeng Li; Hua Shao; et al 出版日期：2024-11-18
求助人	独孤阳光在 2025-02-14 00:03:44 发布自河北，悬赏 10 积分
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