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 Performance enhancement of MOCVD grown Zn-doped β-Ga2O3 Deep-Ultraviolet photodetectors on silicon substrates via TiN buffer layers TiN缓冲层对硅衬底MOCVD生长Zn掺杂β-Ga2O3深紫外光探测器性能的提高
相关领域
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锡
光电探测器
兴奋剂
紫外线
材料科学
缓冲器（光纤）
光电子学
硅
图层（电子）
纳米技术
外延
冶金
电信
计算机科学
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期刊：Applied Surface Science 作者：Anoop Kumar Singh; Jun-Hong Shen; Shi‐Ming Huang; Chao-Chun Yen; Hsin-Yu Chou; et al 出版日期：2024-10-12 |
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