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 Observation of threading dislocations and misfit dislocation half-loops in GaN/AlGaN heterostructures grown on Si using electron channeling contrast imaging 用电子沟道对比成像观察生长在Si上的GaN/AlGaN异质结构中的穿线位错和失配位错半环
相关领域
位错
材料科学
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Shizhao Fan; Rong Liu; Yinbo Huang; Jianxun Liu; Xiaoning Zhan; et al 出版日期：2022-09-09 |
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