标题 |
Engineering oxygen vacancy-induced interface trap memristive effect in selenium-implanted gallium oxide
硒注入氧化镓中氧空位诱导的界面陷阱忆阻效应
相关领域
镓
硒
材料科学
空位缺陷
存水弯(水管)
氧化物
氧气
离子注入
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纳米技术
离子
化学
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结晶学
物理
有机化学
气象学
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其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Yimin Liao; Zhigao Xie; Hanzhao Song; Jierui Xue; Chee-Keong Tan 出版日期:2024-11-04 |
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