标题 |
High Performance Deep Ultraviolet p-i-n Self-Powered Photodetector Based on p-NiO/i-β-Ga2O3/n-β-Ga2O3 With Controlled a Fermi Level And Used an Intrinsic β-Ga2O3 Layer
基于p-NiO/I β-Ga2O3/n-β-Ga2O3的高性能深紫外p-i-n自供电光电探测器,费米能级可控,采用本征β-Ga2O3层
相关领域
非阻塞I/O
光电探测器
紫外线
物理
分析化学(期刊)
光电子学
化学
有机化学
催化作用
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