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标题
The impact of buffer thickness upon the transport-limited buffer trapping effects in carbon-doped power GaN-on-Si devices
碳掺杂功率GaN-on-Si器件中缓冲层厚度对输运受限缓冲层俘获效应的影响
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俘获 缓冲器（光纤） 兴奋剂 材料科学 光电子学 基质（水族馆） 杂质 外延 电场 碳纤维 宽禁带半导体 纳米技术 化学 复合材料 图层（电子） 电气工程 工程类 地质学 物理 有机化学 海洋学 复合数 生物 量子力学 生态学
网址
https://doi.org/10.1063/5.0155073
DOI
10.1063/5.0155073 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Junbo Liu; Wensong Zou; J. Chen; Mengyuan Hua; Di Lu; et al
出版日期：2023-09-11
求助人
liuchuck 在 2024-12-19 10:26:25 发布自中国，悬赏 10 积分
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