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 A Millimeter-Wave LNA in 45nm CMOS SOI with Over 23dB Peak Gain and Sub-3dB NF for Different 5G Operating Bands and Improved Dynamic Range 45nm CMOS SOI毫米波LNA，峰值增益超过23dB，NF低于3dB，适用于不同的5G工作频段，动态范围得到改善
相关领域
极高频率
动态范围
CMOS芯片
光电子学
绝缘体上的硅
材料科学
电气工程
物理
电子工程
硅
光学
工程类
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