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 Threshold Voltage Shift Due to Mechanical Stress-Enhanced Plasma Process-Induced Damage in 0.13-$\mu\hbox{m}$ pMOSFET 0.13-$\mu\hbox{m}$pMOSFET中机械应力增强等离子体过程诱导损伤引起的阈值电压偏移
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Rui Li; Weiran Kong; Kai Tao; Liujiang Yu; Kevin Huang; et al 出版日期：2007-04-25 |
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