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标题
A P-Type Enrichment/High Voltage N-Well Junction Si-SPAD With Enhanced Near-Infrared Sensitivity in 180 nm BCD Technology
180 nm BCD技术中具有增强近红外灵敏度的P型富集/高压N阱结Si-SPAD
相关领域
抖动 光电子学 击穿电压 近红外光谱 雪崩二极管 偏压 CMOS芯片 噪音（视频） 光电探测器 二极管 材料科学 红外线的 雪崩击穿 光子计数 硅 p-n结 单光子雪崩二极管 暗电流 探测器 物理 雪崩光电二极管 电压 光学 半导体 电气工程 量子力学 人工智能 计算机科学 图像（数学） 工程类
网址
https://doi.org/10.1109/led.2023.3347277
DOI
10.1109/led.2023.3347277 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Dajing Bian; Danlu Liu; Jie Dong; Feng Yuan; Yue Xu
出版日期：2023-12-28
求助人
splatoon 在 2024-10-09 10:18:06 发布自广东，悬赏 10 积分
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