标题 |
Interface barrier-induced conversion of resistive switching mechanism in Mn-doped BiFeO3 memristor
Mn掺杂BiFeO3忆阻器电阻开关机制的界面势垒诱导转换
相关领域
材料科学
记忆电阻器
肖特基势垒
光电子学
兴奋剂
电极
半导体
纳米技术
锡
工作职能
肖特基二极管
电气工程
化学
二极管
图层(电子)
冶金
物理化学
工程类
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其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Rui Su; Min Cheng; Awei Dong; Yuwei Zhao; Weiming Cheng; et al 出版日期:2022-11-14 |
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