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标题
Interfacial charge and temperature analysis of gate-all-around line tunneling TFET for improved device reliability
提高器件可靠性的栅极——全方位线隧穿TFET界面电荷和温度分析
相关领域
量子隧道 材料科学 电荷（物理） 可靠性（半导体） 光电子学 直线（几何图形） 物理 量子力学 功率（物理） 几何学 数学
网址
https://doi.org/10.1088/1402-4896/ad5a4c
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.1088/1402-4896/ad5a4c doi
其它 期刊：Physica Scripta
作者：Kadava R. N. Karthik; Chandan Kumar Pandey
出版日期：2024-07-02
求助人
李沐唅 在 2024-12-23 17:01:04 发布自贵州，悬赏 10 积分
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