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 Molecular beam epitaxy of metamorphic buffer for InGaAs/InP photodetectors with high photosensitivity in the range of 2.2-2.6 um 2.2-2.6 um范围内高光敏InGaAs/InP光电探测器变质缓冲液的分子束外延
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期刊：Конденсированные среды и межфазные границы 作者：E.I. Vasilkova; E. V. Pirogov; M. S. Sobolev; E. V. Ubiyvovk; A. M. Mizerov; et al 出版日期：2023-01-01 |
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