The special trench design near the through silicon vias (TSVs) to reduce the keep-out zone for application in three-dimensional integral circuits

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标题	The special trench design near the through silicon vias (TSVs) to reduce the keep-out zone for application in three-dimensional integral circuits 在三维集成电路中应用的硅通孔（TSVs）附近的特殊沟槽设计以减少禁区相关领域沟槽电子线路硅材料科学电子工程电气工程计算机科学工程类光电子学纳米技术图层（电子）
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/46/49/4...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？ AI识别 10.1088/0022-3727/46/49/495103 doi
求助人	wangyongfang 在 2024-10-15 15:49:42 发布自山东，悬赏 10 积分
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