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标题
On the universality of inversion layer mobility in Si MOSFET's: Part I-effects of substrate impurity concentration
硅MOSFET反型层迁移率的普遍性：第一部分——衬底杂质浓度的影响
相关领域
电子迁移率 杂质 MOSFET 凝聚态物理 散射 电子 材料科学 分析化学（期刊） 化学 物理 晶体管 光学 量子力学 电压 色谱法
网址
https://doi.org/10.1109/16.337449
DOI
10.1109/16.337449 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：S. Takagi; Akira Toriumi; M. Iwase; H. Tango
出版日期：1994-01-01
求助人
ZYH 在 2024-11-26 13:55:39 发布自湖北，悬赏 10 积分
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