200 cm2/Vs electron mobility and controlled low 1015 cm−3 Si doping in (010) β -Ga2O3 epitaxial drift layers

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标题	200 cm2/Vs electron mobility and controlled low 1015 cm−3 Si doping in (010) β -Ga2O3 epitaxial drift layers （010）β-Ga2O3外延漂移层中200 cm2/Vs电子迁移率和可控低1015 cm-3Si掺杂相关领域外延兴奋剂电子迁移率电子材料科学凝聚态物理光电子学物理纳米技术核物理学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1063/5.0230413
DOI	10.1063/5.0230413 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Carl Peterson; Arkka Bhattacharyya; Kittamet Chanchaiworawit; Rachel Kahler; Saurav Roy; et al 出版日期：2024-10-28
求助人	寂寞的寄松在 2024-11-07 11:43:39 发布自广东，悬赏 10 积分
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