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 Low temperature (800°C) recessed junction selective silicon-germanium source/drain technology for sub-70 nm CMOS 用于70 nm以下CMOS的低温（800°C）凹进结选择性硅锗源/漏技术
相关领域
材料科学
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硅
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| 其它 |
期刊：International Electron Devices Meeting 2000. Technical Digest. IEDM (Cat. No.00CH37138) 作者：S. Gannavaram; N. Pesovic; C. Ozturk 出版日期：2002-11-11 |
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