A Novel Gate Drive Concept to Eliminate Parasitic Turn-on of SiC MOSFET in Low Inductance Power Modules

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标题	A Novel Gate Drive Concept to Eliminate Parasitic Turn-on of SiC MOSFET in Low Inductance Power Modules 消除低电感功率模块中SiC MOSFET寄生导通的新型栅极驱动概念
网址	https://ieeexplore.ieee.org/document/7990721
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
求助人	研友_IEEE快到碗里来在 2024-08-01 12:53:18 发布自上海，悬赏 10 积分
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