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High-Mobility and Good-Stability Thin-Film Transistors With Scandium-Substituted Indium Oxide Semiconductors
钪取代氧化铟半导体的高迁移率、高稳定性薄膜晶体管
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薄膜晶体管
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期刊:I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者:Wei Song; Linfeng Lan; Peng Xiao; Zhien Lin; Sheng Sun; et al 出版日期:2016-11-01 |
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