Ultrahigh Bipolar Photoresponse in a Self-Powered Ultraviolet Photodetector Based on GaN and In/Sn-Doped Ga2O3 Nanowires pn junction

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标题	Ultrahigh Bipolar Photoresponse in a Self-Powered Ultraviolet Photodetector Based on GaN and In/Sn-Doped Ga2O3 Nanowires pn junction 基于GaN和In/Sn掺杂Ga2O3纳米线pn结的自供电紫外光探测器的超高双极光响应相关领域材料科学光电探测器光电子学兴奋剂紫外线纳米线 p-n结半导体
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.4c04812
DOI	10.1021/acsami.4c04812 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Wei Xu; Bei Li; Yutong Wu; Zhiyu Dong; Kun Zhang; et al 出版日期：2024-06-27
求助人	玛卡巴卡在 2025-04-16 10:10:09 发布自重庆，悬赏 10 积分
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