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 InGaZnO Ferroelectric Thin-Film Transistor Using HfO₂/Al₂O₃/AlN Hybrid Gate Dielectric Stack With Ultra-Large Memory Window 具有超大存储窗口的HfO₂/Al₂O₃/AlN混合栅极介质堆叠的InGaZnO铁电薄膜晶体管
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Min-Lu Kao; Yan-Kui Liang; Lin Yuan; You‐Chen Weng; Chang Fu Dee; et al 出版日期：2022-11-03 |
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