High-Performance Ultraviolet Photodetector Arrays Based on Recessed-Gate HEMT with a Buried p-GaN Layer

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标题	High-Performance Ultraviolet Photodetector Arrays Based on Recessed-Gate HEMT with a Buried p-GaN Layer 基于埋藏p-GaN层凹栅HEMT的高性能紫外光探测器阵列相关领域高电子迁移率晶体管光电探测器光电子学紫外线材料科学图层（电子）晶体管电气工程纳米技术工程类电压
网址	https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01645
DOI	10.1021/acsaelm.3c01645 doi
其它	期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Chuankai Liu; Ye Wang; Hangzan Liu; Quan Hao; Lixiang Han; et al 出版日期：2024-02-02
求助人	合适的若冰在 2024-02-07 15:02:41 发布自湖北，悬赏 10 积分
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