Adaptive Neural Activation and Neuromorphic Processing via Drain‐Injection Threshold‐Switching Float Gate Transistor Memory

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标题	Adaptive Neural Activation and Neuromorphic Processing via Drain‐Injection Threshold‐Switching Float Gate Transistor Memory 漏极——注入阈值开关浮栅晶体管存储器的自适应神经激活和神经形态处理相关领域神经形态工程学仿真材料科学晶体管阈下传导计算机科学人工神经网络光电子学电气工程人工智能电压工程类经济经济增长
网址	https://doi.org/10.1002/adma.202309099
DOI	10.1002/adma.202309099 doi
其它	期刊：Advanced Materials 作者：Han Wang; Yanzhao Lu; Shangbo Liu; Jun Yu; Man Hu; et al 出版日期：2023-11-21
求助人	zhaotu7314 在 2024-03-10 15:31:42 发布自中国，悬赏 10 积分
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