A Novel SiC MOSFET With a Fully Depleted P-Base MOS-Channel Diode for Enhanced Third Quadrant Performance

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标题	A Novel SiC MOSFET With a Fully Depleted P-Base MOS-Channel Diode for Enhanced Third Quadrant Performance 相关领域 JFET公司 MOSFET 碳化硅材料科学光电子学二极管击穿电压电气工程拓扑（电路）电压电子工程场效应晶体管工程类晶体管冶金
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2022.3185960
DOI	10.1109/ted.2022.3185960 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ping Li; Ma Rongyao; Jingyu Shen; Liang Jing; Jingwei Guo; et al 出版日期：2022-08-01
求助人	研友_8oYMyn 在 2023-03-12 18:15:30 发布自广东，悬赏 10 积分
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