| 标题 |
 An integration path for gate-first UTB III-V-on-insulator MOSFETs with silicon, using direct wafer bonding and donor wafer recycling 相关领域
材料科学
晶片键合
薄脆饼
绝缘体上的硅
光电子学
MOSFET
硅
阳极连接
直接结合
栅氧化层
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| 网址 | |
| DOI |
10.1109/iedm.2012.6479088
doi
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| 其它 |
期刊：2012 International Electron Devices Meeting 作者：L. Czornomaz; N. Daix; D. Caimi; M Sousa; R. Erni; et al 出版日期：2013-03-21 |
| 求助人 |
研友_Z7m7lL 在
2020-11-05 14:58:23 发布，悬赏 10 积分
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