High performance ferroelectric field-effect transistors for large memory-window, high-reliability, high-speed 3D vertical NAND flash memory

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标题	High performance ferroelectric field-effect transistors for large memory-window, high-reliability, high-speed 3D vertical NAND flash memory 相关领域材料科学与非门铁电性可靠性（半导体）闪光灯（摄影）晶体管光电子学铁电RAM 非易失性存储器闪存电压电气工程计算机硬件计算机科学逻辑门光学电介质工程类功率（物理）物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1039/D2TC01608G
DOI	10.1039/D2TC01608G doi
其它	期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Giuk Kim; Sangho Lee; Taehyong Eom; Taeho Kim; Minhyun Jung; et al 出版日期：2022
求助人	dajiaomao 在 2022-07-13 16:31:14 发布自上海，悬赏 10 积分
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