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 Nucleation and growth of atomic layer deposition of HfO2 gate dielectric layers on silicon oxide: a multiscale modelling investigation 相关领域
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期刊：Physical Chemistry Chemical Physics 作者：A. Dkhissi; G. Mazaleyrat; A. Estève; M. Djafari Rouhani 出版日期：2009-03-26 |
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