Numerical Analysis of Breakdown Voltage Enhancement in AlGaN/GaN HEMTs With a High-$k$ Passivation Layer

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标题	Numerical Analysis of Breakdown Voltage Enhancement in AlGaN/GaN HEMTs With a High-$k$ Passivation Layer 相关领域电压晶体管阈值电压高电子迁移率晶体管图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1109/TED.2014.2298194
DOI	10.1109/TED.2014.2298194 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Hideyuki Hanawa; Hiraku Onodera; Atsushi Nakajima; Kazushige Horio 出版日期：2014
求助人	研友_Z7m7lL 在 2021-03-07 14:51:21 发布，悬赏 10 积分
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